这样的膜设计大大促进了跨膜离子的扩散，抢占嵌入有助于实现5.06Wm-2的高功率密度，这是基于纳米流体膜的渗透能转换的最高值。

 Figure11.（a、物联网市b）SiO2中空纳米微球的示意图和TEM图像。场甲SiO2的无定形和各种结晶多晶型物在自然界中普遍存在。

Figure21.（a）数码照片、骨文独立式SiOC/rGO复合材料的示意图，以及SiOC的原子结构。升级（d）均相SiOx/C复合微球的示意图3、抢占嵌入基于SiOx的负极材料与SiO和SiO2一样，抢占嵌入非化学计量的低氧含量的硅氧化物（SiOx）也被认为是可以用于下一代LIBs的高容量负极材料，特别是O含量低于1.0的SiOx负极材料（富含Si的SiOx）。

物联网市（d）SiOx/C和SiOx/C-CVD在500mAg-1下的循环性能。因此，场甲人们认为富含Si的SiOx具有高容量但是具有较差的循环性能，而富含O的SiOx有利于体积变化调节。

（e、骨文f）碳芯/介孔SiO2/碳壳的三层结构梅花布丁的示意图和TEM图像。

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